FeTRAM, ferroelectric transistor random acces memory, merupakan hasil kombinasi antara nanowire dengan polimer. Menurut pembuatnya di Birck Nanotechnology Center (BNC) di Purdue University, berkat kombinasi tersebut, FetRAM memiliki performa tersendiri dibandingkan dengan RAM tradisional.
Ferroelektrik adalah material yang mempunyai kemampuan untuk berganti polaritas sesuai dengan medan yang berada di dekatnya. Sifat ini kemudian dimanfaatkan oleh para peneliti di BNC untuk membentuknya menjadi transistor ferroelektrik yang saat ini masih belum ada di pasaran.
Topik Lainnya: hardware, android, smartphone, ponsel, komputer, teknologi, gadget, blackberry, iPhone, laptop, komputer tablet
